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BSZ440N10NS3 G /
BSZ440N10NS3 G的规格信息
BSZ440N10NS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：640pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：29W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TSDSON-8

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.3A（Ta），18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 12µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9.1nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：18A

Rds On-漏源导通电阻：38mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：9.1nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：29W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：1.1mm

长度：3.3mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

正向跨导 - 最小值：8S

下降时间：2ns

上升时间：1.8ns

典型关闭延迟时间：9.1ns

典型接通延迟时间：4.3ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商BSZ440N10NS3 G
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深圳市威雅利发展有限公司BSZ440N10NS3 G 其他被动元件华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSZ440N10NS3 G华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市凌特半导体科技有限公司BSZ440N10NS3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市拓亿芯电子有限公司BSZ440N10NS3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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BSZ440N10NS3 GMOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.92 Mbytes共12页BSZ440N10NS3 G的PDF下载地址无
BSZ440N10NS3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.7V @ 12uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.97 Mbytes共12页BSZ440N10NS3 G的PDF下载地址无
BSZ440N10NS3 G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		BSZ440N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:￥2.26
10000+:￥2.17
25000+:￥2.1
50000+:￥2.06
125000+:￥2.00991+:￥5.28
10+:￥4.12
100+:￥2.66
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BSZ440N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:￥2.26
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSZ440N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:￥2.26
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Mouser 贸泽电子		BSZ440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
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5,000:¥2.7007
10,000:查看
元器件资料网-立创商城的LOGO
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